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參數(shù)資料
| 型號： | BSS138W-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RECTIFIER BRIDGE 8A 50V 200A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE |
| 中文描述： | 200 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | BSS138W-7 |
DS30206 Rev. 3 - 2
4 of 5
BSS138W
www.diodes.com
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I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 8 Drain-Source On Resistance vs. Drain Current
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= 10V
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0.45
0.5
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Drain-Source On Resistance vs. Drain Current
150
°
C
-55
°
C
25
°
C
V
= 4.5V
GS
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I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 6 Drain-Source On Resistance vs. Drain Current
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0.05
0.1
0.2
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0.25
150
°
C
-55
°
C
25
°
C
V
= 2.75V
GS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS138W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| BSS138 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS72 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS138W7F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| BSS138W-7-F | 功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSS138WE6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R |
| BSS138WE6433XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R |
| BSS138WH6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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