參數(shù)資料
型號： BSS138W-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RECTIFIER BRIDGE 8A 50V 200A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
中文描述： 200 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 90K
代理商： BSS138W-7
DS30206 Rev. 3 - 2
3 of 5
BSS138W
www.diodes.com
0
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Drain-Source On Resistance vs. Drain Current
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.16
0.14
0.12
0.1
R
,
W
)
D
150
°
C
-55
°
C
25
°
C
V
= 2.5V
GS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.4
1.2
2
1.8
1.6
-40
-55
5
-25 -10
50
20 35
80
95
65
110 125
140
V
,
G
T, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature
I = 1.0mA
0.65
T, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Drain-Source On Resistance vs. Junction Temperature
0.85
1.05
1.25
1.65
1.45
1.85
2.05
2.25
2.45
-55
-5
45
95
145
R
,
W
)
D
V
= 10V
GS
I = 0.5A
V
= 4.5V
GS
I = 0.075A
相關PDF資料
PDF描述
BSS138W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS72 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BSS138W7F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
BSS138W-7-F 功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138WE6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R
BSS138WE6433XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R
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