參數(shù)資料
型號： BSS138PW
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET
中文描述： 320 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大?。?/td> 332K
代理商： BSS138PW
BSS138PW
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 2 November 2010
7 of 16
NXP Semiconductors
BSS138PW
60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET
T
amb
= 25
°
C
T
amb
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
(1) minimum values
(2) typical values
(3) maximum values
Fig 6.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical
values
Fig 7.
Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
T
amb
= 25
°
C
(1) V
GS
= 2.0 V
(2) V
GS
= 2.5 V
(3) V
GS
= 3.0 V
(4) V
GS
= 3.5 V
(5) V
GS
= 10 V
Fig 8.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
I
D
= 300 mA
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
Fig 9.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values
V
DS
(V)
0.0
4.0
3.0
1.0
2.0
017aaa112
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
I
D
(A)
0.0
3.0 V
2.25 V
2.0 V
2.5 V
2.75 V
V
GS
= 3.5 V
017aaa113
10
4
10
5
10
3
I
D
(A)
10
6
V
GS
(V)
0.0
2.0
1.5
0.5
1.0
(2)
(1)
(3)
I
D
(A)
0.0
1.0
0.8
0.4
0.6
0.2
017aaa114
2.0
3.0
1.0
4.0
5.0
R
DSon
(
Ω
)
0.0
(2)
(1)
(3)
(5)
(4)
V
GS
(V)
0.0
10.0
8.0
4.0
6.0
2.0
017aaa115
2.0
4.0
6.0
R
DSon
(
Ω
)
0.0
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS138W-7 RECTIFIER BRIDGE 8A 50V 200A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
BSS138W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS138PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60 V 320 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138Q-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000
BSS138TA 功能描述:MOSFET N-Chnl 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138TC 功能描述:MOSFET N-Chnl 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138W 功能描述:MOSFET 50V N-CH Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*