參數(shù)資料
型號(hào)： BSS138PW
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET
中文描述： 320 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 332K
代理商： BSS138PW
BSS138PW
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Product data sheet
Rev. 1 — 2 November 2010
3 of 16
NXP Semiconductors
BSS138PW
60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm
2
.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
P
tot
total power dissipation
T
amb
= 25
°
C
[2]
-
260
310
830
150
+150
+150
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
[1]
-
T
sp
= 25
°
C
-
T
j
T
amb
T
stg
Source-drain diode
I
S
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
55
65
source current
T
amb
= 25
°
C
[1]
-
280
mA
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Limiting values
…continued
Conditions
Min
Max
Unit
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of ambient temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of ambient temperature
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
75
25
017aaa001
40
80
120
P
der
(%)
0
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
75
25
017aaa002
40
80
120
I
der
(%)
0
P
der
P
P
tot 25
°
C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25
°
C
)
-------------------
100
%
×
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS138W-7 RECTIFIER BRIDGE 8A 50V 200A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE
BSS138W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS138PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60 V 320 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138Q-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BSS138TA 功能描述:MOSFET N-Chnl 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138TC 功能描述:MOSFET N-Chnl 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138W 功能描述:MOSFET 50V N-CH Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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