參數資料
型號： BSS138
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數： 3/3頁
文件大小： 58K
代理商： BSS138
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q-Charge (nC)
V
G
V
DD
=20V
30V
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
μ
A
1mA
I
DS
- Drain Source Current
Typical Diode Forward Voltage
10mA
100mA
1A
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
S
V
GS
- Gate Source Voltage (V)
I
D
Typical Transfer Characteristics
Typical Gate Charge vs.
Gate-Source Voltage
50V
I
D
=200mA
80
μ
s Pulsed Test
V
DS
=10V
80
μ
s Pulsed Test
V
GS
=0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
TYPICAL CHARACTERISTICS
BSS138
3 - 74
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PDF描述
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