參數(shù)資料
型號(hào)： BSS138
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BSS138
0
0.8
1.2
1.6
T-Temperature ( °C)
N
D
G
0
R
DS(on)
AT
V
GS
=5V
I
D
=200mA
V
GS(th)
AT
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
1.0
1.0
10
0.1
I
D
-Drain Current (Amperes)
R
D
D
0.01
100
I
D
-Drain Current (Amperes)
0
100
200
300
400
500
g
f
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
0
100
200
300
400
500
g
f
V
GS
-Gate Source Voltage (Volts)
1
10
100
0.1
100
V
DS
-Drain Source Voltage (Volts)
C
NOTE:-V
GS
=0V
C
iss
C
oss
C
rss
Typical On Resistance vs.
Drain Current
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
-Drain Source Voltage (Volts)
I
D
Saturation Characteristics
Typical Transconductance vs.
Drain Current
Typical Transconductance vs.
Gate - Source Voltage
Typical Capacitance vs.
Drain - Source Voltage
Normalised R
DS(on)
And V
GS(th)
vs. Temperature
V
GS
=10V
5V
4.5V
4V
3.5V
3V
2.5V
2V
3V
3.5V
5V
7V
10V
4V
V
GS
=2.5V
V
DS
=25V
80
μ
s Pulsed Test
V
DS
=25V
80
μ
s Pulsed Test
C
iss
C
oss
C
rss
0.6
1.0
1.4
1.8
-40
40
80
120
160
1
10
80
μ
s Pulsed Test
F=1MHz
TYPICAL CHARACTERISTICS
BSS138
3 - 73
3 - 74
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS138-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS72 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
BSS76 HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR
BSS8402DW-7 COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BSS138\E9 功能描述:MOSFET USE 781-VN0605T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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