參數(shù)資料
型號(hào)： BSS138-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BSS138-7
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q-Charge (nC)
V
G
V
DD
=20V
30V
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
μ
A
1mA
I
DS
- Drain Source Current
Typical Diode Forward Voltage
10mA
100mA
1A
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
S
V
GS
- Gate Source Voltage (V)
I
D
Typical Transfer Characteristics
Typical Gate Charge vs.
Gate-Source Voltage
50V
I
D
=200mA
80
μ
s Pulsed Test
V
DS
=10V
80
μ
s Pulsed Test
V
GS
=0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
TYPICAL CHARACTERISTICS
BSS138
3 - 74
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS72 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
BSS76 HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR
BSS8402DW-7 COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS8402DW COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84DW DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS138-7-F 功能描述:MOSFET 300mW 50V DSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138-7-F-31 制造商:DIODES 功能描述:N-Channel MOSEFT/ SOT-23(LEAD-FREE)
BSS138AKA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.2A SOT-2 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain
BSS138AKA/LF1R 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250A 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.51nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.06W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BSS138AKAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250A 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.51nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:47pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*