參數(shù)資料
型號(hào)： BSS138-7
廠商： DIODES INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： BSS138-7
0
0.8
1.2
1.6
T-Temperature ( °C)
N
D
G
0
R
DS(on)
AT
V
GS
=5V
I
D
=200mA
V
GS(th)
AT
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
1.0
1.0
10
0.1
I
D
-Drain Current (Amperes)
R
D
D
0.01
100
I
D
-Drain Current (Amperes)
0
100
200
300
400
500
g
f
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
0
100
200
300
400
500
g
f
V
GS
-Gate Source Voltage (Volts)
1
10
100
0.1
100
V
DS
-Drain Source Voltage (Volts)
C
NOTE:-V
GS
=0V
C
iss
C
oss
C
rss
Typical On Resistance vs.
Drain Current
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
-Drain Source Voltage (Volts)
I
D
Saturation Characteristics
Typical Transconductance vs.
Drain Current
Typical Transconductance vs.
Gate - Source Voltage
Typical Capacitance vs.
Drain - Source Voltage
Normalised R
DS(on)
And V
GS(th)
vs. Temperature
V
GS
=10V
5V
4.5V
4V
3.5V
3V
2.5V
2V
3V
3.5V
5V
7V
10V
4V
V
GS
=2.5V
V
DS
=25V
80
μ
s Pulsed Test
V
DS
=25V
80
μ
s Pulsed Test
C
iss
C
oss
C
rss
0.6
1.0
1.4
1.8
-40
40
80
120
160
1
10
80
μ
s Pulsed Test
F=1MHz
TYPICAL CHARACTERISTICS
BSS138
3 - 73
3 - 74
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BSS138AKAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250A 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.51nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:47pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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