| 型號: | BSR42-AR3 |
| 廠商: | Zetex Semiconductor |
| 英文描述: | SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 中文描述: | SOT89 NPN硅平面中功率晶體管 |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商: | BSR42-AR3 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BSR41-AR2 | SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BSR43-AR4 | SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BSR43 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BSS63R-T6 | SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| BSS63-T3 | SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSR42T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| BSR42TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSR43 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, SOT89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:1.35W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes |
| BSR43 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSR43,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |