參數(shù)資料
型號： BSR43
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： BSR43
SOT89 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 – MARCH 2001
COMPLEMENTARY TYPES –
BSR33
PARTMARKING DETAIL –
AR4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
TOT
T
j
:T
stg
90
V
Collector-Emitter Voltage
80
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Base Current
100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
1
W
-65 to +150
°C
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
90
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
80
V
I
C
=10mA *
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
100
50
nA
μ
A
V
V
V
CB
=60V
V
CB
=60V, Tamb =125°C
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=100
μ
A, V
CE
=5V
I
C
=100mA, V
CE
=5V
I
C
=500mA, V
CE
=5V
V
CB
=10V, f=1MHz
V
EB
=0.5V, f=1MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f =35MHz
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.25
0.5
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.0
1.2
V
V
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
30
100
50
300
Output Capacitance
C
obo
C
ibo
f
T
12
pF
Input Capacitance
90
pF
Transition Frequency
100
MHz
Turn-On Time
T
on
T
off
250
ns
V
CC
=20V, I
=100mA
I
B1
=I
B2
=5mA
Turn-Off Time
1000
ns
*Measured under pulsed conditions.
For typical characteristics graphs see FMMT493 datasheet.
BSR43
C
C
B
E
SOT89
TBA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS63R-T6 SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS63-T3 SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS64R-U6 SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS64-U3 SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS65-L1 SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH SPEED TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSR43 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR43,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR43 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89
BSR43/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MEDIUM POWER
BSR43115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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