參數(shù)資料
型號(hào)： BSS63R-T6
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： SOT23封裝進(jìn)步黨高壓硅平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： BSS63R-T6
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS63-T3 SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS64R-U6 SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS64-U3 SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS65-L1 SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH SPEED TRANSISTOR
BSS65R-L5 SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH SPEED TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS63T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BSS63-T3 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS63TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS63TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS64 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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