參數(shù)資料
型號(hào)： BSP145
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： BSP145
1995 Apr 24
5
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSP145
Fig.6
Capacitance as a function of drain source
voltage; typical values.
V
GS
= 0.
T
j
= 25
°
C.
f = 1 MHz.
handbook, halfpage
0
80
40
0
10
20
30
MGC431
C
(pF)
VDS
Crss
Ciss
Coss
Fig.7 Typical output characteristics.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
4
12
0.8
0.4
0.2
0
0.6
MGC436
VDS
16
8
VGS
4.5 V
4 V
6 V
5 V
Fig.8 Typical transfer characteristics.
V
DS
= 10 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
5
10
0
0.5
MGC435
ID
(A)
VGS
Fig.9
Drain-source on-state resistance as
a function of gate-source voltage;
typical values.
I
D
= 10 mA.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
15
0
5
10
RDS
(
)
VGS
MGC438
on
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PDF描述
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