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BSP149 L6327

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • BSP149 L6327
    BSP149 L6327

    BSP149 L6327

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 22+

  • -
  • 終端免費(fèi)提供樣品 可開13%增值稅發(fā)票

  • BSP149 L6327
    BSP149 L6327

    BSP149 L6327

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 假一賠十?。?/p>

  • -
  • 絕對原裝現(xiàn)貨!

  • BSP149 L6327
    BSP149 L6327

    BSP149 L6327

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • INFINEON原裝

  • SOT-223

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,價格超越代理!

  • BSP149 L6327
    BSP149 L6327

    BSP149 L6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠

  • SOT223

  • 最新批號

  • -
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  • 1/1頁 40條/頁 共30條 
  • 1
BSP149 L6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 200V 0.66A SMALL SIGNAL
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSP149 L6327 技術(shù)參數(shù)
  • BSP149 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP149 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP14-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-18 AWG Blue 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 端子類型:對接接頭,直插式,單獨(dú)開口 進(jìn)線數(shù):2 端接:壓接 線規(guī):14-18 AWG 絕緣:完全絕緣 特性:銅焊縫 顏色:藍(lán)色 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP135L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 120mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP135L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 120mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327
配單專家

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