參數(shù)資料
型號： BSP145
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 51K
代理商： BSP145
1995 Apr 24
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSP145
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the
“Limiting values”
and
“Thermal characteristics”
1.
Device mounted on an epoxy printed-circuit board, 40
×
40
×
1.5 mm; mounting pad for drain lead minimum 6 cm
2
.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
450
±
20
250
1
1.5
+150
150
V
V
mA
A
W
°
C
°
C
open drain
up to T
amb
= 25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
83.3
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
3
10
90
25
2
MAX.
4
1
±
100
14
120
35
5
UNIT
V
(BR)DSS
V
GSth
I
DSS
I
GSS
R
DSon
y
fs
C
iss
C
oss
C
rss
drain-source breakdown voltage
gate-source threshold voltage
drain-source leakage current
gate leakage current
drain-source on-state resistance
forward transfer admittance
input capacitance
output capacitance
reverse transfer capacitance
V
GS
= 0; I
D
= 10
μ
A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
V
GS
= 0; V
DS
= 350 V
V
DS
= 0; V
GS
=
±
20 V
V
GS
= 10 V; I
D
= 100 mA
V
DS
= 25 V; I
D
=250 mA
V
GS
= 0; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
450
2
200
V
V
μ
A
nA
mS
pF
pF
pF
Switching times
(see Figs 2 and 3)
t
on
turn-on time
V
GS
= 0 to 10 V; V
DD
= 200 V;
I
D
= 100 mA
V
GS
= 10 to 0 V; V
DD
=200 V;
I
D
= 100 mA
10
ns
t
off
turn-off time
100
ns
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PDF描述
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