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參數(shù)資料
| 型號： | BSP106 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15% |
| 中文描述： | 425 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | BSP106 |
April 1995
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP106
PACKAGE OUTLINES
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT429
TO-247
98-03-24
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-247
SOT429
E
P
A
A1
β
w
M
b
1
2
3
e
e
b1
b2
c
Q
q
L
Y
R
D
S
L1
(1)
α
UNIT
A1
D
b
E
e
w
S
R
q
Q
P
L
Y
b2
b1
c
L1
(1)
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
β
α
mm
17
°
13
°
6
°
4
°
5.3
4.7
1.9
1.7
2.2
1.8
1.2
0.9
3.2
2.8
0.9
0.6
21
20
16
15
5.45
3.7
3.3
2.6
2.4
5.3
7.5
7.1
0.4
15.7
15.3
16
15
4.0
3.6
3.5
3.3
Note
1. Tinning of terminals are uncontrolled within zone L1.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP107 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP108 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP120 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP121 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP127 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP106T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
| BSP107 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP107T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 200MA I(D) | SOT-223 |
| BSP108 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP108T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
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