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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSP106 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15% |
| 中文描述： | 425 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | BSP106 |
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP106
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Device mounted on an epoxy printed-circuit board 40 x 40 x 1.5 mm;
mounting pad for the drain lead minimum 6 cm
2
.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
V
DG
±
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
drain-source voltage
drain-gate voltage
gate-source voltage
drain current
drain current
total power dissipation
60
60
20
425
850
1.5
V
V
V
mA
mA
W
DC value
peak value
up to T
amb
= 25
°
C
(note 1)
T
stg
T
j
storage temperature range
junction temperature
55
150
150
°
C
°
C
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
from junction to ambient
(note 1)
83.3
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP107 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP108 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP120 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP121 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP127 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP106T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
| BSP107 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP107T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 200MA I(D) | SOT-223 |
| BSP108 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BSP108T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
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