參數(shù)資料
型號： BSM35GB120DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： vorlafige Daten preliminary data
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BSM35GB120DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM35GB120DLC
vorlufige Daten
preliminary data
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
78,07
262,83
20,86
38,24
0,009
41,47
0,003
0,045
305,3
0,022
0,073
271,51
0,064
0,229
81,72
0,344
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
= 15V, R
g
= 22 Ohm, T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8)
Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTC 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM35GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120D2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM35GD120DLC 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Module Maximum rated values
BSM35GD120DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 70A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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