參數(shù)資料
型號： BSM35GB120DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： vorlafige Daten preliminary data
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BSM35GB120DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM35GB120DLC
vorlufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,4
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,7
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Παστε
= 1 W/m * K /
λ
grease
= 1 W/m * K
R
thCK
-
0,05
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AL
2
O
3
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
Luftstrecke
clearance
11
mm
CTI
comperative tracking index
275
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
terminals M6
M1
3
6
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M5
M2
2,5
5
Nm
Gewicht
weight
G
250
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTC 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM35GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120D2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM35GD120DLC 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Module Maximum rated values
BSM35GD120DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 70A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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