| 型號: | BSM254F |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET功率模塊|半橋| 500V五(巴西)直| 35A條(?。?/td> |
| 文件頁數: | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商: | BSM254F |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM30GD60DN2 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM400GA120DN2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 550A I(C) |
| BSM244F | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 400V V(BR)DSS | 45A I(D) |
| BSM252F | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) |
| BSM25GP120 | IGBT Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM25GAL100D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GAL120DN2 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM25GB100D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GB120D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GB120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 25A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |