| 型號: | BSM252F |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET功率模塊|半橋| 500V五(巴西)直| 18A條(丁) |
| 文件頁數: | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商: | BSM252F |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM25GP120 | IGBT Module |
| BSM282F | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 11A I(D) |
| BSM25GAL100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GB100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GB120D | High Efficient Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM254F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) |
| BSM25GAL100D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GAL120DN2 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM25GB100D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GB120D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |