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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSM25GP120 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | BSM25GP120 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM282F | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 11A I(D) |
| BSM25GAL100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GB100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| BSM25GB120D | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM25GD120D | High Efficient Rectifier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM25GP120_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1600V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM282F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 11A I(D) |
| BSM284F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 20A I(D) |
| BSM294F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)DSS | 18A I(D) |
| BSM2-C | 功能描述:端子 Metric Butt Splice non-insulated, 1.5 RoHS:否 制造商:AVX 產(chǎn)品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 線規(guī):26-18 接線柱/接頭大小: 絕緣: 顏色:Red 型式:Female 觸點(diǎn)電鍍:Tin over Nickel 觸點(diǎn)材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接類型:Crimp |
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