參數(shù)資料
型號： BSM100GD60DLC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONO3, 39 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 138K
代理商： BSM100GD60DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 100 GD 60 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
-
0,29
K/W
-
0,55
K/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
RthCK
-
0,01
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
4Nm
-15
+15
%
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
RthJC
Transistor / transistor, DC
Diode / diode, DC
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
CTI
comperative tracking index
Gewicht
weight
G
Schraube M5
screw M5
Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung
mounting torque
Al2O3
225
g
310
M
3 (8)
BSM 100 GD 60 DLC
2000-02-08
相關PDF資料
PDF描述
BSM150GXL120DN2 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
BSM25GD100D IGBT MODULE
BST-110-13-L-D-230-RA 20 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BST-127-08-G-D230-RA 54 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BST-126-08-G-D-230-RA 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BSM-100G-LP 功能描述:板上安裝壓力/力傳感器 0-100Psi Ported 6VDC supply RoHS:否 制造商:Honeywell 工作壓力:0 bar to 4 bar 壓力類型:Gage 準確性:+ / - 0.25 % 輸出類型:Digital 安裝風格:Through Hole 工作電源電壓:5 V 封裝 / 箱體:SIP 端口類型:Dual Radial Barbed, Same sides
BSM100GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 100A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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BSM100GT170DL 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
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