參數(shù)資料
型號(hào)： BSM100GD60DLC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONO3, 39 PIN
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： BSM100GD60DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 100 GD 60 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
IC= 100A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 2,2, Tvj= 25°C
td,on
-25
-
ns
VGE= ±15V, RG= 2,2, Tvj= 125°C
-25
-
ns
IC= 100A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 2,2, Tvj= 25°C
tr
-10
-
ns
VGE= ±15V, RG= 2,2, Tvj= 125°C
-11
-
ns
IC= 100A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 2,2, Tvj= 25°C
td,off
-
130
-
ns
VGE= ±15V, RG= 2,2, Tvj= 125°C
-
150
-
ns
IC= 100A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 2,2, Tvj= 25°C
tf
-20
-
ns
VGE= ±15V, RG= 2,2, Tvj= 125°C
-30
-
ns
IC= 100A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 2,2, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
IC= 100A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 2,2, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
tP ≤ 10sec, VGE ≤ 15V
Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE di/dt
Modulinduktivitt
stray inductance module
LσCE
-
28
-
nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
Tc= 25°C
RCC'+EE'
-
1,8
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
IF= 100A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
-
1,25
1,6
V
forward voltage
IF= 100A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
-
1,20
-
V
IF= 100A, -diF/dt= 4400A/sec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
IRM
-
150
-
A
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
-
180
-
A
IF= 100A, -diF/dt= 4400A/sec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
Qr
-
7,7
-
C
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
-13
-
C
IF= 100A, -diF/dt= 4400A/sec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
Erec
---
mJ
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
-
3,2
-
mJ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
A
VF
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
ISC
-
450
-
2,9
-
mJ
-
1,0
-
mJ
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Eoff
Eon
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschluverhalten
SC Data
2 (8)
BSM 100 GD 60 DLC
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM150GXL120DN2 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
BSM25GD100D IGBT MODULE
BST-110-13-L-D-230-RA 20 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BST-127-08-G-D230-RA 54 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BST-126-08-G-D-230-RA 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM-100G-LF 功能描述:板上安裝壓力/力傳感器 0-100Psi Non-ported 6VDC supply RoHS:否 制造商:Honeywell 工作壓力:0 bar to 4 bar 壓力類型:Gage 準(zhǔn)確性:+ / - 0.25 % 輸出類型:Digital 安裝風(fēng)格:Through Hole 工作電源電壓:5 V 封裝 / 箱體:SIP 端口類型:Dual Radial Barbed, Same sides
BSM-100G-LP 功能描述:板上安裝壓力/力傳感器 0-100Psi Ported 6VDC supply RoHS:否 制造商:Honeywell 工作壓力:0 bar to 4 bar 壓力類型:Gage 準(zhǔn)確性:+ / - 0.25 % 輸出類型:Digital 安裝風(fēng)格:Through Hole 工作電源電壓:5 V 封裝 / 箱體:SIP 端口類型:Dual Radial Barbed, Same sides
BSM100GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 100A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM100GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM100GT170DL 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
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