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參數(shù)資料
| 型號： | BS850 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | DMOS Transistors (P-Channel)(P通道DMOS晶體管) |
| 中文描述： | DMOS晶體管（P溝道）性（P通道的DMOS晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | BS850 |
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BS850
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS870 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BS870 | DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管) |
| BS980-GS18 | RF PIN Diode |
| BSM100GD120DLC | IGBT-Module |
| BSM100GP60 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BS850/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-236AB |
| BS850/E9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-236AB |
| BS850\E9 | 功能描述:MOSFET USE 781-TP0610K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS85C20-3 | 制造商:HOLTEK 制造商全稱:Holtek Semiconductor Inc 功能描述:Touch Key Flash Type 8-Bit MCU with LCD/LED Driver |
| BS-87.500MBB-T | 功能描述:標準時鐘振蕩器 87.5MHz 3.3Volt 50ppm -10C +70C RoHS:否 制造商:AVX 產(chǎn)品:Standard Clock Oscillators 封裝 / 箱體:7 mm x 5 mm 頻率:75 MHz 頻率穩(wěn)定性:50 PPM 電源電壓:2.5 V 負載電容: 端接類型:SMD/SMT 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 輸出格式:LVDS 尺寸: 封裝:Reel 系列: |
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