參數(shù)資料
型號(hào)： BS850
廠商： Diodes Inc.
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
中文描述： P溝道增強(qiáng)型DMOS晶體管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： BS850
DS11402 Rev. F-3
3 of 3
BS850
0
500
-I , DRAIN CURRENT (mA)
Fig. 6. Transconductance vs. Drain Current
g
f
0
100
200
300
400
500
200
300
100
400
Pulse test width 80 s;
pulse duty factor 1%
-V
= 10V
DS
0
100
200
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 1. Power Derating Curve
P
d
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
(See Note 1)
0
10
-V
, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5. Transconductance vs Gate-Source Voltage
GS
g
f
100
200
300
400
500
4
6
2
8
-V
= 10V
DS
0
Pulse test width 80 s;
pulse duty factor 1%
0
100
-V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2. Output Characteristics
DS
-
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
40
60
20
80
-V
= 6V
GS
5V
3V
4V
7V
T = 25 C
Pulse test width 80 s;
pulse duty factor 1%
0
USE BSS84
-V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3. Saturation Characteristics
DS
-
D
0
100
200
300
400
500
4
2
-V
3.0V
T = 25 C
4.0V
4.5V
Pulse test width 80 s;
pulse duty factor 1%
10
D0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
4
6
8
Pulse test width 80 s;
pulse duty factor 1%
T = 25 C
-V
= 10V
DS
FOR NEW DESIGN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BS850 DMOS Transistors (P-Channel)(P通道DMOS晶體管)
BS870 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BS870 DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管)
BS980-GS18 RF PIN Diode
BSM100GD120DLC IGBT-Module
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參數(shù)描述
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