參數(shù)資料
型號： BS850
廠商： Diodes Inc.
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
中文描述： P溝道增強(qiáng)型DMOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 70K
代理商： BS850
DS11402 Rev. F-3
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BS850
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Notes:
1. Device mounted on ceramic substrate 0.7mm; 2.5 cm
2
area.
Characteristic
Symbol
-V
(BR)DSS
V
GS(th)
-I
GSS
-I
DSS
r
DS (ON)
R
JA
Min
60
—
—
—
—
—
Typ
90
1.0
—
—
3.5
—
Max
—
3.0
10
0.5
5.0
400
Unit
V
V
nA
μA
Test Condition
-I
D
= 100μA, V
GS
= 0
-V
GS
= V
DS
, –I
D
= 1.0mA
-V
GS
= 15V, V
DS
= 0
-V
DS
= 25V, V
GS
= 0
-V
GS
= 10V, –I
D
= 0.2A
Note 1
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage Current
Drain-Source Cutoff Current
Drain-Source ON Resistance
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Thermal Resistance Junction to
Substrate Backside
K/W
R
JSB
—
—
320
K/W
Note 1
Forward Transconductance
g
FS
—
200
—
m
m
-V
= 10V, –I
D
= 0.2A,
f = 1.0MHz
-V
DS
= 10V, V
GS
=0, f = 1.0MHz
Input Capacitance
Switching Times
Turn On Time
Turn Off Time
C
iss
—
60
—
pF
t
on
t
off
—
5.0
25
—
ns
-V
GS
= 10V, –V
DS
= 10V,
R
D
= 100
FOR NEW DESIGN
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