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參數(shù)資料
| 型號： | BR24C21F |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | ID ROM for CRT display |
| 中文描述： | 身份證光盤用于CRT顯示器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 671K |
| 代理商： | BR24C21F |
BR24C21 / BR24C21F / BR24C21FJ / BR24C21FV
Memory ICs
ID ROM for CRT display
BR24C21 / BR24C21F / BR24C21FJ / BR24C21FV
The BR24C21 series are 1kbits serial EEPROMs and support DDC1
TM
and DDC2
TM
interfaces for PLUG
&
PLAY
displays.
!
Features
1) 128 x 8 bits serial EEPROM
2) Operating voltage range (2.5V
～
5.5V)
3) Completely implements DDC1
TM
/ DDC2
TM
interface
for monitor identification
Transmit-Only Mode
Recovery Mode
Bi-directional Mode
4) Page write function : 8 bytes
5) Low current consumption
Active (at 5V) : 1.5mA (Typ.)
Standby (at 5V) : 10
μ
A (Typ.)
6) DATA security
Write enable feature
Inhibit to WRITE at low Vcc
7) Compact packages
8) High reliability fine pattern CMOS technology
9) Rewriting possible up to 100,000 times
10) Data can be stored for ten years without corruption
11) Noise filters at SCL, SDA and VCLK pins
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Supply voltage
0.3
~
+
6.5
V
Power disssipation
mW
Storage temperature range
65
~
+
125
°
C
Operating temperature range
°
C
Terminal voltage
V
40
~
+
85
0.3
~
V
CC
+
0.3
V
CC
Pd
Tstg
Topr
1
450(SOP8)
800(DIP8)
2
2
450(SOP-J8)
3
350(SSOP-B8)
1 Degradation is done at 8.0mW/
°
C for operation above 25
°
C.
2 Degradation is done at 4.5mW/
°
C for operation above 25
°
C.
3 Degradation is done at 3.5mW/
°
C for operation above 25
°
C.
!
Recommended operating conditions
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Supply voltage
V
Input voltage
V
IN
V
V
CC
0
~
V
CC
2.5
~
5.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR24L01AFJ-W | 128】8 bit electrically erasable PROM |
| BR24L01 | 128】8 bit electrically erasable PROM |
| BR24L04F-W | 512】8 bit electrically erasable PROM |
| BR24L04FJ-W | 512】8 bit electrically erasable PROM |
| BR24L04FV-W | 512】8 bit electrically erasable PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BR24C21F-E2 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 I2C 1K BIT 128 X 8 3.3V/5V 8PIN RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| BR24C21FJ | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:ID ROM for CRT display |
| BR24C21FJ-E2 | 功能描述:IC EEPROM EDID 1K 100KHZ 8-SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 線串行 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOP-J 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:BR93L86FJ-WE2DKR |
| BR24C21FV | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:EDID Memory (For display) |
| BR24C21FV-E2 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 I2C 1K BIT 128 X 8 3.3V/5V 8PIN RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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