參數(shù)資料
型號(hào)： BPV11F
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光敏三極管
英文描述： Phototransistor IR Chip Silicon 930nm 2-Pin T-1 3/4
中文描述： Photodetector Transistors 15 Degree 150mW
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 104K
代理商： BPV11F
BPV11F
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.6, 03-May-13
4
Document Number: 81505
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www.vishay.com/doc91000
Fig. 10 - Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
Fig. 11 - Relative Radiant Sensitivity vs. Angular Displacement
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
800
900
1000
1100
94 8258
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
S
λ
)
r
λ
- Wavelength (nm)
S
r
94 8248
0.6
0.9
0.8
0°
30°
10°
20°
40°
50°
60°
70°
80°
0.7
1.0
0
0.2
0.4
Chip position
0.8
- 0.1
Issue:1; 01.07.96
±
Drawing-No.: 6.544-5188.01-4
specifications
according to DIN
technical drawings
0.5
Area not plane
±
±
±
± 0.15
0.5
E
B
5
±
1
+ 0.15
0.8
C
1
±
- 0.1
0.8
- 0.1
- 0.1
+ 0.2
1.27 nom.
2.54 nom.
(
7
3
<
8
R245(sphee
96 12200
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