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參數(shù)資料
| 型號： | BPV11F |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | 硅npn型光電晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | BPV11F |
BPV11F
Vishay Telefunken
3 (6)
Rev. 3, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81505
94 8239
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2.0
I
c
20
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
40
60
80
100
1.6
1.8
V
CE
=5V
E
e
=1mW/cm
2
=950nm
Figure 3. Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
100
I
c
E
e
– Irradiance ( mW/cm
2
)
10
94 8244
V
CE
=5V
=950nm
Figure 4. Collector Light Current vs. Irradiance
0.1
1
10
0.1
1
10
100
I
c
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8245
E
e
=1mW/cm
2
=950nm
0.5mW/cm
2
0.2mW/cm
2
0.1mW/cm
2
0.05mW/cm
2
0.02mW/cm
2
Figure 5. Collector Light Current vs.
Collector Emitter Voltage
0.01
0.1
1
10
0
200
400
600
800
B
I
C
– Collector Current ( mA )
100
94 8250
V
CE
=5V
Figure 6. Amplification vs. Collector Current
0.1
1
10
0
4
8
12
16
20
C
C
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8240
f=1MHz
Figure 7. Collector Base Capacitance vs.
Collector Base Voltage
0.1
1
10
0
4
8
12
16
20
C
C
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8247
f=1MHz
Figure 8. Collector Emitter Capacitance vs.
Collector Emitter Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPV11F | Phototransistor IR Chip Silicon 930nm 2-Pin T-1 3/4 |
| BPV11 | Silicon NPN Phototransistor(檢測應(yīng)用的高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
| BPV11 | Silicon NPN Phototransistor |
| BPV11 | Photo Transistor, PHOTO TRANSISTOR DETECTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| BPV20F | Silicon PIN Photodiode(反向電壓60V，紅外遠距離控制應(yīng)用的PIN光二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPV11F | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTOTRANSISTOR T1.3/4 |
| BPV11F_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant |
| BPV20 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon PIN Photodiode |
| BPV20F | 功能描述:光電二極管 60V 215mW 950nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| BPV20NFL | 功能描述:光電二極管 60V 215mW 950nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
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