參數(shù)資料
型號： BLW83
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-123A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BLW83
August 1986
6
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW83
APPLICATION INFORMATION
R.F. performance in s.s.b. class-A operation (linear power amplifier)
V
CE
= 26 V; f
1
= 28,000 MHz; f
2
= 28,001 MHz
Note
1.
Stated intermodulation distortion figures are referred to the according level of either of the equal amplified tones.
Relative to the according peak envelope powers these figures should be increased by 6 dB.
OUTPUT POWER
W
>
10 (P.E.P.)
typ. 11 (P.E.P.)
typ. 12 (P.E.P.)
G
p
dB
I
C
A
d
3
dB
(1)
d
5
dB
(1)
T
h
°
C
>
20
1,35
40
<
40
70
typ. 24
1,35
40
<
40
25
Fig.8 Test circuit; s.s.b. class-A.
handbook, full pagewidth
50
MGP592
50
L3
L1
R3
R4
L5
T.U.T.
L4
C10
C5
C7
C8
C6
C11
C12
C1
C2
C3
C4
L2
R2
R1
C9
R7
R9
+
VCC
R5
R8
R6
BY206
BD204
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLW85 HF/VHF power transistor
BLW86 HF/VHF power transistor
BLW87 VHF power transistor
BLW898 UHF linear power transistor
BLW90 UHF power transistor
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參數(shù)描述
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BLW86 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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BLW89 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF
BLW898 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF linear power transistor
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