參數(shù)資料
型號(hào)： BLW83
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-123A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BLW83
August 1986
5
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW83
Fig.5 Typical values; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
5
10
50
0
25
MGP589
VCE = 28 V
hFE
IC (A)
5 V
Fig.6 I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
20
40
50
0
100
MGP590
Cc
(pF)
VCB (V)
typ
Fig.7 Typical values; f = 100 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, full pagewidth
10
6
0
0
2
8
MGP591
4
200
400
fT
(MHz)
IE (A)
VCB = 28 V
15 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLW86 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW87 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLW89 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF
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