參數(shù)資料
型號(hào)： BLW80
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： BLW80
March 1993
9
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW80
OPERATING NOTE
Below 300 MHz a base-emitter resistor of 10
is
recommended to avoid oscillation. This resistor must be
effective for r.f. only.
Fig.12
handbook, halfpage
100
Gp
(dB)
300
500
10
5
15
MGP570
f (MHz)
power gain versus frequency
(class-B operation)
Measuring conditions:
V
CC
= 12,5 V
P
L
= 4 W
T
= 25
°
C
typical values
Fig.13
handbook, halfpage
100
ri, xi
(
)
300
500
0
5
5
MGP571
f (MHz)
xi
ri
xi
ri
input impedance (series components)
versus frequency (class-B operation)
Measuring conditions:
V
CC
= 12,5 V
P
L
= 4 W
T
= 25
°
C
typical values
Fig.14
handbook, halfpage
100
RL
(
)
300
500
18
16
20
CL
(pF)
10
50
70
30
MGP572
f (MHz)
CL
RL
versus frequency (class-B operation)
Measuring conditions:
V
CC
= 12,5 V
P
L
= 4 W
T
= 25
°
C
typical values
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