參數(shù)資料
型號(hào): BLW80
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: UHF power transistor
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商: BLW80
March 1993
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW80
Fig.4
handbook, halfpage
0
1
2
3
30
10
0
20
MGP562
IC (A)
hFE
typ
VCE = 5 V
Tj = 25
°
C
Fig.5
handbook, halfpage
0
Cc
(pF)
10
20
10
0
20
MGP563
VCB (V)
typ
IE = Ie = 0
f = 1 MHz
Tj = 25
°
C
Fig.6
handbook, full pagewidth
3
fT
(GHz)
0
0
IC (A)
MGP564
1
2
1
typ
VCE = 12.5 V
f = 500 MHz
Tj = 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLX41X PNP
BLX41XX PNP
BLX48R TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-205AD
BM-3BK CASE DESKTOP
BM-2BK CASE DESKTOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLW81 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW83 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW86 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW87 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR