參數(shù)資料
型號(hào)： BLW80
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大小： 62K
代理商： BLW80
March 1993
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW80
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C
Note
1.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
200
μ
s;
δ ≤
0,02.
Breakdown voltages
Collector-emitter voltage
V
BE
= 0; I
C
= 10 mA
Collector-emitter voltage
open base; I
C
= 50 mA
Emitter-base voltage
open collector; I
E
= 4 mA
V
(BR)CES
>
36 V
V
(BR)CEO
>
17 V
V
(BR)EBO
>
4 V
Collector cut-off current
V
BE
= 0; V
CE
= 17 V
I
CES
<
4 mA
D.C. current gain
(1)
I
C
= 0,5 A; V
CE
= 5 V
h
FE
>
typ
10
35
Collector-emitter saturation voltage
(1)
I
C
= 1,5 A; I
B
= 0,3 A
V
CEsat
typ
0,75 V
Transition frequency
at f = 500 MHz
(1)
I
C
= 0,5 A; V
CE
= 12,5 V
I
C
= 1,5 A; V
CE
= 12,5 V
f
T
f
T
typ
typ
1,75 GHz
1,25 GHz
Collector capacitance
at f = 1 MHz
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 12,5 V
C
c
typ
14 pF
Feedback capacitance
at f = 1 MHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 12,5 V
C
re
C
cs
typ
7,1 pF
Collector-stud capacitance
typ
1,2 pF
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