參數(shù)資料
型號： BLW77
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN
文件頁數(shù)： 11/17頁
文件大小： 117K
代理商： BLW77
August 1986
11
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW77
Fig.15 R.F. SOAR; s.s.b. class-AB operation;
f
1
= 28,000 MHz; f
2
= 28,001 MHz;
V
CE
= 28 V; R
th mb-h
= 0,2 K/W.
The graph shows the permissible output power under nominal
conditions (VSWR = 1) as a function of the expected VSWR during
short-time mismatch conditions with heatsink temperatures as
parameter.
handbook, halfpage
100
MGP532
1
10
10
2
150
200
PLnom
(W P.E.P.)
(VSWR = 1)
VSWR
90
°
C
Th =
50
°
C
70
°
C
相關PDF資料
PDF描述
BLW78 HF/VHF power transistor
BLW80 UHF power transistor
BLX41X PNP
BLX41XX PNP
BLX48R TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-205AD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BLW78 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW80 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW81 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW83 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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