參數(shù)資料
型號(hào)： BLW60
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/15頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： BLW60
March 1993
2
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power transistor
BLW60C
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial
transistor intended for use in class-A,
B and C operated mobile, industrial
and military transmitters with a
nominal supply voltage of 12,5 V. The
transistor is resistance stabilized and
is guaranteed to withstand severe
load mismatch conditions with a
supply over-voltage to 16,5 V.
Matched h
FE
groups are available on
request.
It has a 3/8" capstan envelope with a
ceramic cap. All leads are isolated
from the stud.
QUICK REFERENCE DATA
R.F. performance up to T
h
= 25
°
C
MODE OF OPERATION
V
CC
V
f
MHz
P
L
W
G
L
dB
>
5,0
typ. 19,5
η
%
z
i
Z
L
d
3
dB
c.w. (class-B)
s.s.b. (class-AB)
12,5
12,5 1,6-28
175
45
>
75
typ. 35
1,2
+
j1,4
2,6
j1,2
3-30 (P.E.P.)
typ.
33
PIN CONFIGURATION
Fig.1 Simplified outline. SOT120A.
handbook, halfpage
MSB056
2
3
1
4
PINNING - SOT120A.
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
PRODUCT SAFETY This device incorporates beryllium oxide, the dust of which is toxic. The device is entirely
safe provided that the BeO disc is not damaged.
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PDF描述
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BLW77 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW78 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
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