參數(shù)資料
型號(hào)： BLW60
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 13/15頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： BLW60
March 1993
13
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power transistor
BLW60C
Fig.20
handbook, halfpage
10
MGP497
1
10
10
2
Gp
(dB)
20
f (MHz)
Fig.21
handbook, halfpage
ri
(
)
0
MGP498
1
10
10
2
2.5
5
7.5
5
5
2.5
0
2.5
xi
(
)
f (MHz)
ri
xi
input impedance (series components)
versus frequency
S.S.B. class-AB operation
Conditions for Figs 20 and 21:
V
CC
= 12,5 V
P
L
= 30 W (P.E.P.)
T
h
= 25
°
C
R
th mb-h
≤
0,45 K/W
I
C(ZS)
= 25 mA
Z
L
= 1,9
The typical curves (both conditions) hold for an unneutralized amplifier.
V
CC
= 13,5 V
P
L
= 35 W (P.E.P.)
T
h
= 25
°
C
R
th mb-h
≤
0,45 K/W
I
C(ZS)
= 25 mA
Z
L
= 1,9
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BLW77 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW78 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
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