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參數(shù)資料
| 型號： | BLV2045 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor(UHF功率晶體管) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-390A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | BLV2045 |
1996 Nov 13
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV2045
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Capacitance of die only.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
60
32
MAX.
8
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
h
FE
C
c
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector leakage current
DC current gain
collector capacitance
open emitter; I
C
= 40 mA
open base; I
C
= 20 mA
open collector; I
E
= 1 mA
V
CE
= 12.5 V; V
BE
= 0
V
CE
= 24 V; I
C
= 2 A
V
CB
= 26 V; I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz;
note 1
V
CE
= 26 V; I
C
= 0; f = 1 MHz
60
28
2.5
45
V
V
V
mA
pF
C
re
feedback capacitance
20
pF
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
(1) V
CE
= 26 V; t
p
= 500
μ
s;
δ
= < 1 %.
(2) V
CE
= 10 V.
0
120
80
40
0
2
10
4
6
8
MGG294
IC (A)
hFE
(1)
(2)
Fig.5
Feedback capacitance as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
f = 1 MHz.
handbook, halfpage
0
10
20
40
30
MGG295
0
20
40
VCE (V)
Cre
(pF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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