參數(shù)資料
型號(hào)： BLV194
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： BLV194
January 1993
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV194
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
I
C(AV)
P
tot
T
stg
T
j
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
average collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open base
base short-circuited
open collector
65
16
32
3
3
3
46
150
200
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
T
mb
= 25
°
C
Fig.2 DC SOAR.
(1) T
mb
= 25
°
C.
(2) T
h
= 70
°
C.
handbook, halfpage
MRC103
10
1
1
1
10
IC
(A)
VCE (V)
10
2
(1)
(2)
Fig.3 Power/temperature derating curve.
(1) Continuous operation.
(2) Short-time operation during mismatch.
handbook, halfpage
MRC102
0
20
40
0
20
40
Ptot
(W)
60
80
Th (
o
C)
100
120
(1)
(2)
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
THERMAL
RESISTANCE
R
th j-mb
R
th mb-h
thermal resistance from junction to mounting base
thermal resistance from mounting base to heatsink
P
dis
= 46 W; T
mb
= 25
°
C
3.8 K/W
0.4 K/W
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