參數(shù)資料
型號(hào)： BLV193
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大小： 108K
代理商： BLV193
March 1993
7
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV193
Fig.9
Gain as a function of load power (PEP),
typical values.
Class-A operation; V
= 12 V; I
C
= 1.3 A;
f
p
= 900 MHz; f
q
= 901 MHz.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
MRA558
0
4
8
12
0
4
8
PL(PEP) (W)
12
Fig.10 Load power (PEP) as a function of drive
power (PEP), typical values.
Class-A operation; V
= 12 V; I
C
= 1.3 A;
f
p
= 900 MHz; f
q
= 901 MHz.
handbook, halfpage
(W)
MRA550
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
PD(PEP) (W)
0.8
1
Fig.11 Intermodulation products as a function of
load power (PEP), typical values.
Class-A operation; V
= 12 V; I
C
= 1.3 A;
f
p
= 900 MHz; f
q
= 901 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
MRA560
10
20
30
40
50
60
700
4
PL(PEP) (W)
d3
d5
8
12
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