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參數(shù)資料
| 型號： | BLV193 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | BLV193 |
March 1993
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV193
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current
total power dissipation
storage temperature range
junction temperature
open emitter
open base
open collector
DC or average value
up to T
mb
= 25
°
C
65
36
16
3
3.5
44
150
200
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
MRA552
1
1
10
VCE (V)
IC
(A)
10
2
10
1
Tmb = 25
o
C
Th = 70
o
C
Fig.3 Power derating curves.
(1) Continuous operation.
(2) Short time operation during mismatch.
handbook, halfpage
MRA553
0
Ptot
(W)
20
40
0
20
40
Th (
o
C)
60
80
100
120
(1)
(2)
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
THERMAL
RESISTANCE
R
th j-mb
R
th mb-h
from junction to mounting base
from mounting base to heatsink
P
dis
= 44 W; T
mb
= 25
°
C
4.0 K/W
0.4 K/W
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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