參數(shù)資料
型號(hào): BLS3135-50
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述: S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 62K
代理商: BLS3135-50
1999 Aug 16
5
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-50
handbook, full pagewidth
MCD762
30
30
40
output
input
C1
C2
Fig.6 Component layout for 3.1 to 3.5 GHz class-C test circuit.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad printed-circuit board with Duroid dielectric (
ε
r
= 2.2), thickness 0.38 mm.
The other side is unetched and serves as a ground plane.
C1 = C2 = ATC 100A 5.1 pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLS3135-65 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLT11 NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR
BLT13 UHF power transistor
BLT52 UHF power transistor
BLU12 UHF power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLS3135-50,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-65 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
BLS3135-65 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-65,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS38-1 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:BLS38-1