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參數(shù)資料
| 型號： | BLS3135-50 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | BLS3135-50 |
1999 Aug 16
4
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-50
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 3.5 GHz.
(2) f = 3.3 GHz.
(3) f = 3.1 GHz.
Fig.2
Loadpowerasafunctionofdrivepower;
typical values.
handbook, halfpage
PL
(W)
0
2
PD (W)
10
60
20
0
40
4
6
8
MCD758
(2)
(3)
(3)
(1)
Fig.3
Power gain as a function of load
power; typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 50 W; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 3.5 GHz.
(2) f = 3.3 GHz.
(3) f = 3.1 GHz.
handbook, halfpage
(dB)
0
(3)
(1)
(2)
20
40
80
2
2
4
8
0
6
60
PL (W)
MCD759
Fig.4
Collector efficiency as a function of load
power; typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 3.5 GHz.
(2) f = 3.3 GHz.
(3) f = 3.1 GHz.
handbook, halfpage
C
(%)
0
20
PL (W)
40
80
0
40
60
30
20
10
MCD760
(3)
(1)
(2)
Fig.5
Power gain and input return losses as
functions of frequency; typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 50 W; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
handbook, halfpage
(dB)
3.0
3.5
20
Return
Losses
(dB)
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
3.1
f (GHz)
3.2
Gp
3.3
3.4
MCD761
Return
Losses
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLS3135-65 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLT11 | NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR |
| BLT13 | UHF power transistor |
| BLT52 | UHF power transistor |
| BLU12 | UHF power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLS3135-50,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-65 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
| BLS3135-65 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-65,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS38-1 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:BLS38-1 |
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