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參數(shù)資料
| 型號： | BLS2731-20 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BLS2731-20 |
1998 Nov 25
5
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-20
List of components
Notes
1.
2.
3.
American Technical Ceramics type 200A or capacitor of same quality.
American Technical Ceramics type 100A or capacitor of same quality.
American Technical Ceramics type 700A or capacitor of same quality.
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
C1
C2
C3
C4
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
multilayer ceramic chip capacitor; note 2
multilayer ceramic chip capacitor; note 3
Tekelec trimmer type 37281SL
1 nF
10 pF
150 pF
0.4 to 2.5 pF
Fig.6
Component layout for 2.7 to 3.1 GHz class-C test circuit.
Dimensions in mm.
The components are located on one side of the copper-clad printed circuit board, the other side is unetched and serves as a ground plane.
Earth connections from the component side to the ground plane are made by through metallization.
The striplines are on double-clad printed-circuit board with Duroid dielectric (
ε
r
= 2.2); thickness = 0.38 mm.
handbook, full pagewidth
40
30
30
MGR730
C4
C1
C2
C3
input
50
output
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLS2731-50 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-10 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-20 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-50 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-65 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLS2731-20 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-20,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-50 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
| BLS2731-50 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-50,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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