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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLS2731-20 |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BLS2731-20 |
1998 Nov 25
4
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-20
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 3.1 GHz.
(2) f = 2.7 GHz.
(3) f = 2.9 GHz.
Fig.2
Load power as a function of drive power;
typical values.
handbook, halfpage
(W)
0
2.5
MGR731
0
20
15
10
5
PD (W)
0.5
1
1.5
2
(2)
(3)
(1)
Fig.3
Power gain as function of frequency;
typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 20 W; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
12
4
0
8
MGR732
2.7
2.8
2.9
3.1
3.0
f (GHz)
Fig.4
Input impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 20 W.
handbook, halfpage
(
)
0
20
MGR733
15
10
5
2.7
2.8
2.9
3.1
3.0
f (GHz)
ri
xi
Fig.5
Load impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 20 W.
handbook, halfpage
(
)
2.7
2.8
2.9
3.1
10
10
15
MGR734
3.0
5
0
5
f (GHz)
RL
XL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLS2731-50 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-10 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-20 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-50 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-65 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLS2731-20 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-20,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-50 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
| BLS2731-50 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-50,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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