參數(shù)資料
型號： BLS3135-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-445C, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 66K
代理商： BLS3135-10
DATA SHEET
Product specification
2000 Feb 01
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLS3135-10
Microwave power transistor
M3D324
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BLS3135-50 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-65 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLT11 NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
BLS3135-10 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-10,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-20 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
BLS3135-20 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-20,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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