- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369472 > BLS2731-10 (NXP SEMICONDUCTORS) Microwave power transistor(微波功率晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLS2731-10 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | BLS2731-10 |
1998 Nov 25
6
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-10
Fig.8
Component layout for 2.7 to 3.1 GHz class-C test circuit.
Dimensions in mm.
The components are located on one side of the copper-clad printed circuit board, the other side is unetched and serves as a ground plane.
Earth connections from the component side to the ground plane are made by through metallization.
The striplines are on double-clad printed-circuit board with Duroid dielectric (
ε
r
= 2.2); thickness = 0.38 mm.
handbook, full pagewidth
40
30
30
MGR729
C5
C1
C2
C3
C4
input
50
output
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLS2731-110 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS2731-150 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A |
| BLS2731-20 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS2731-50 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-10 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLS2731-10,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-110 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
| BLS2731-110 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-110,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS2731-150 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。