參數(shù)資料
型號(hào)： BLS2731-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： BLS2731-10
1998 Nov 25
5
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-10
Fig.4
Power gain and efficiency as functions of
frequency; typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
2.7
Gp
η
C
(%)
η
C
2.8
f (GHz)
2.9
3.1
12
4
0
8
80
60
20
0
40
3
MDA229
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 2.7 GHz.
(2) f = 2.9 GHz.
(3) f = 3.1 GHz.
Fig.5
Load power as a function of drive power;
typical values.
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
PL
(W)
8
PD (W)
4
0
0.4
0.8
1.2
MDA230
Fig.6
Input impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 10 W.
handbook, halfpage
2.6
2.8
3
3.2
Zi
(
)
0
16
xi
ri
12
f (GHz)
8
4
MDA231
Fig.7
Load impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 10 W.
handbook, halfpage
ZL
(
)
2.6
2.8
3
3.2
0
16
12
f (GHz)
8
4
MDA232
XL
RL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLS2731-110 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS2731-150 TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
BLS2731-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS2731-50 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-10 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLS2731-10,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-110 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
BLS2731-110 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-110,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
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