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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLF2022-30 |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC PACKGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | BLF2022-30 |
2003 Feb 24
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF2022-30
handbook, halfpage
Gp
(dB)
Gp
η
D
(%)
η
D
10
5
0
60
20
0
40
MLD935
0
20
10
30
40
50
PL (PEP) (W)
Fig.2
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of peak envelope load power; typical
values.
V
DS
= 28 V; I
= 240 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2170 MHz; f
2
= 2170.1 MHz.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
d3
d5
d7
0
20
10
30
40
50
PL (PEP) (W)
20
60
80
40
MLD936
V
DS
= 28 V; I
= 240 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2170 MHz; f
2
= 2170.1 MHz.
Fig.3
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
η
D
(%)
10
5
0
60
20
0
40
MLD937
0
20
10
30
40
50
PL (PEP) (W)
(1)
(3)
(2)
(4)
(6)
(5)
Gp
η
D
Fig.4
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of peak envelope load power; typical
values.
V
DS
= 28 V; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2170 MHz; f
2
= 2170.1 MHz.
(1) I
DQ
= 290 mA.
(2) I
DQ
= 240 mA.
(3) I
DQ
= 190 mA.
(4) I
DQ
= 190 mA.
(5) I
DQ
= 240 mA.
(6) I
DQ
= 290 mA.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
0
20
10
30
40
50
PL (PEP) (W)
20
60
80
40
MLD938
(2)
(3)
(1)
V
DS
= 28 V; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2170 MHz; f
2
= 2170.1 MHz.
Fig.5
Third order intermodulation distortion as a
function of peak envelope load power;
typical values.
(1) I
DQ
= 190 mA.
(2) I
DQ
= 240 mA.
(3) I
DQ
= 290 mA.
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