參數資料
型號： BGF944
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： GSM900 EDGE power module
中文描述： 920 MHz - 960 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： PLASTIC, SOT-365C, 3 PIN
文件頁數： 5/12頁
文件大小： 91K
代理商： BGF944
2003 Jun 06
5
Philips Semiconductors
Product specification
GSM900 EDGE power module
BGF944
handbook, halfpage
(dB)
MBL817
0
8
16
32
27
28.6
24
28.2
27.8
27.4
60
0
10
40
30
20
PL (W)
Gp
η
(%)
50
η
29
Fig.6
CW gain power and efficiency as functions
of load power; typical values.
f = 940 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
MBL818
0
4
8
28.6
28.2
29
28.8
28.4
50
30
10
0
20
40
12
2
6
10
Gp
PL (AV) (W)
η
η
(%)
Fig.7
Two tone gain power and efficiency as
functions of load power; typical values.
f
1
= 940 MHz; f
2
= 941 MHz.
handbook, halfpage
(dBc)
MBL819
0
4
8
70
30
12
2
6
10
40
50
60
d3
d5
d7
PL (AV) (W)
Fig.8
Two tone intermodulation distortion as a
function of average load power; typical
values.
f
1
= 940 MHz; f
2
= 941 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
800
900
1000
1100
20
28
26
24
22
0
30
6
12
18
24
MBL820
s11
(dB)
s11
s21
s11
f (MHz)
Fig.9 s-parameters as a function of frequency.
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